InGaAs

方式

nGaAs EMMI と従来のEMMIの検出方式はほとんど等しい。その差はInGaAsとSiと検出器が異なる為、
検出可能な波長領域が異なること、すなわちInGaAsの方がバンドギャップが小さい為、
より長波長領域の発光を検出することが出来ます。

原理を以下に示すが、半導体素子中で余剰な電子-正孔ペアが再結合すると赤外線が放出され、
それが検出されます。

酸化膜の絶縁破壊に関わる故障は、ESD損傷、ラッチアップ、衝突イオン化、飽和トランジスターなどによる
過剰の電子-正孔ペアを生じ、その結果赤外線検出装置により高精度に故障箇所を特定することが出来ます。

半導体内の光子放出はバンド間/バンド内における再結合、或いはBremsstrahlungプロセスで発生し、
赤外線遷移となります。 赤外線検出装置は確実にこの故障箇所を精度よく表示することが出来ます。

本技法は広範囲の半導体故障に対して高感度で表示可能ですが、
一方光子放出欠陥の選別には、設計・製作法や、実験条件に依存する面があります。

対応装置

HAMAMATSU PHEMOS-1000


  • nGaAs Camera

  • NanoLens

応用

応用分野はEMMIと同様ですが、従来からあるEMMIに比べて本方式の利点を以下に示します。

  • ・低電圧稼動に伴う長波長領域では対等。
  • ・赤外領域では高効率で感度が高い。
  • ・低電圧や背面から検出する弱い発光の計測で威力を発揮し、赤外線共焦点レーザーとともに用いると
    高感度・高分解能な分析が可能。
  • ・発光検出時間に関しては、従来からあるEMMIの様に積分時間が終了してから表示するのではなく、
    リアルタイムで検出できます。

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