光ビーム加熱抵抗変化検出法

方式

OBIRCHはOptical Beam Induced Resistance Change の略でレーザービームを素子上で
スキャンして故障箇所を検出する方法で、ヴィア、コンタクト、導電層を素子の上面または裏面から検出します。

OBIRCHは動作チェックあるいはDCチェック中にレーザービームをスキャンすることにより
IC内で発生する熱勾配を利用しており、局所的な発熱に伴うICの故障箇所を見つけ出すことにより、
合格/不合格の判定を行います。

本技法は故障箇所の診断時間を月単位から分単位へと大幅に減少しかつS/N比も改善しました。

その上高電流プローブヘッドを用いることにより、高電流素子や高電圧素子の解析も行うことが出来ます。

対応装置

HAMAMATSU uAMOS-200

応用

リーク箇所の検出位置決め

  • ・IDDQ (Quiescent Vdd Supply Current)異常

金属欠陥の検出

  • ・金属配線の検査 (void, Si nodule)
  • ・コンタクトホールに於ける以上抵抗箇所の検出 (via contact)
  • ・メタライゼーション工程のモニター

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