フォトエミッション顕微鏡

方式

EMMIとOBIRCHは故障解析の最も一般的な装置であり、MA-tekが所有するEMMIは従来型のSi-CCDと
高機能InGaAsを検知器として用い、OBIRCHと結合して、前工程及び後工程で作りこまれた、
IC素子の電気的故障箇所を特定することができます。

MA-tekの卓越した技術陣は、半導体産業の種々の分野で経験を積み重ねており、最も正確且つ高精度、
高効率な分析サービスを提供し、顧客における製品開発のための時間と費用を節約できると確信しています。

半導体素子内で過剰な電子・正孔ペアが発生すると放出される赤外線を検出し、又酸化膜絶縁破壊は、
ESD(静電放電)ダメージ、ラッチアップ、衝突イオン化、トランジスター飽和を生じ、
此れらが過剰電子・正孔ペアを発生させる。赤外線検出により、この故障箇所を正確に特定することが出来ます。

半導体素子に於ける発光現象はバンド内或いはバンド間で再結合を生じ、
あるいはBremsstrahlungプロセスを生じ、赤外線遷移を生じます。

赤外線検出器を用いることにより、確実高精度に故障箇所を検出することが出来、
本技術はICの故障箇所を広範囲で高感度像に検出することが出来るし、
又試験条件・製品工程を設定することにより発光現象を選別することもできます。

対応装置

HAMAMATSU PHEMOS-1000
HAMAMATSU PHEMOS-1000

応用

発光欠陥

  • 1.接合リーク
  • 2.コンタクトスパイク
  • 3.飽和トランジスターに於けるホットエレクトロン
  • 4.接合ナダレ
  • 5.ラッチアップ
  • 6.酸化電流放出
  • 7.多結晶シリコンフィラメント
  • 8.基盤欠陥

製品工程

  • 1.フローティングゲート
  • 2.飽和バイポーラートランジスター、アナログMOSFETs
  • 3.フォワードバイアスダイオード

検出不能エミッション

  • 1.エミッション箇所がマスクされている場合
    -埋め込み接合
    -金属配線下のリーク
  • 3.オーミックショート
  • 4.金属間ショート
  • 5.シリコン導電領域
  • 6.サブスレスホールド

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